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          • 服务支持 > IC封装流程

            1、磨片:-将晶圆厂出来的wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到封装需要的厚度(8mils-10mils);

            -磨片时,需要在正面贴胶带保护电路区域,同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度。


            2、晶圆切割:-将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;

            -通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的Die Attach等工序;
            -主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;



            3、二光检查: 主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。


            4、芯片粘接():

             芯片拾取过程:-Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于脱离蓝膜;
            -Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer 到L/F的运输过程:
            -Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;


            5、引线焊接(): 利用高纯度的金线(Au)、铜线(Cu)或铝线(Al)把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接点,Lead是Lead Frame上的连接点。W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。

            Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点;
            EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(BondBall);
            Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;
            Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);
            W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、温度(Temperature);


            6、三光检查: 检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品


            7、注塑: 为了防止外部环境的冲击,利用EMC把Wire Bonding完成后的产品封装起来的过程,并需要加热硬化。

             


            8、激光打字: 在产品(Package)的正面或者背面激光刻字。内容有:产品名称,生产日期,生产批次等;


            9、模后固化: 用于Molding后塑封料的固化,保护IC内部结构,消除内部应力。


            10、电镀: 利用金属和化学的方法,在Leadframe的表面镀上一层镀层,以防止外界环境的影响(潮湿和热)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高导电性。


            11、切筋成型: 

            Trim:将一条片的Lead Frame切割成单独的Unit(IC)的过程;
            Form:对Trim后的IC产品进行引脚成型,达到工艺需要求的形状,并放置进Tube或者Tray盘中;

             

             


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